Name: FDD86110
Brand: onsemi
SKU: FDD86110TR-ND
Price: 97.5623 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD86110
Číslo produktu DigiKey	FDD86110TR-ND - Páska a cívka (TR) FDD86110CT-ND - Řezaná páska (CT) FDD86110DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD86110
Popis	MOSFET N-CH 100V 12.5A/50A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 12,5A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 127W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 35 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2265 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,1W (Ta), 127W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 12,5A (Ta), 50A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDD861
Rds zap (max) při Id, Vgs 10,2mOhm při 12,5A, 10V