Name: FDD7N20TM
Brand: onsemi
SKU: FDD7N20TMTR-ND
Price: 34.8117 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDD7N20TM
Číslo produktu DigiKey	FDD7N20TMTR-ND - Páska a cívka (TR) FDD7N20TMCT-ND - Řezaná páska (CT) FDD7N20TMDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDD7N20TM
Popis	MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.7 nC @ 10 V
Řada UniFET™	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 250 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 43W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 200 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu FDD7N20
Rds zap (max) při Id, Vgs 690mOhm při 2,5A, 10V