Name: FDC602P
Brand: onsemi
SKU: FDC602PTR-ND
Price: 27.1887 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDC602P
Číslo produktu DigiKey	FDC602PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDC602PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDC602PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDC602P
Popis	MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 5,5A (Ta) 1,6W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDC602P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 20 nC @ 4.5 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±12V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1456 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1,6W (Ta)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra SuperSOT™-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 5,5A (Ta)	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 4,5V	Základní číslo produktu FDC602
Rds zap (max) při Id, Vgs 35mOhm při 5,5A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (2)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
NTHS4101PT1G	onsemi	7 781	NTHS4101PT1GOSCT-ND	36,12000 Kč	Similar
TSM260P02CX6 RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	10 351	TSM260P02CX6RFGCT-ND	19,95000 Kč	Similar