Name: DMG1029SV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1029SV-7DITR-ND
Price: 13.7577 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMG1029SV-7
Číslo produktu DigiKey	DMG1029SV-7DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMG1029SV-7DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMG1029SV-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMG1029SV-7
Popis	MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 500mA, 360mA 450mW Montáž na povrch SOT-563
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	DMG1029SV-7 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	500mA, 360mA
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,7Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0,3nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	30pF při 25V, 25pF při 25V
Výkon - max	450mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-563, SOT-666
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-563
Základní číslo produktu	DMG1029