FDB12N50FTM-WS onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FDB12N50FTM-WS je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

onsemi

Skladem : 7 198

Jednotková cena : 92,83000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDB12N50FTM-WS
Číslo produktu DigiKey	FDB12N50FTM-WSTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDB12N50FTM-WS
Popis	MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 11,5A (Tc) 165W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDB12N50FTM-WS Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	UniFET™
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	700mOhm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1395 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	165W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263 (D2PAK)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	FDB12N50