FCPF16N60NT je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 995
Jednotková cena : 104,36000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 494
Jednotková cena : 84,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 949
Jednotková cena : 87,90000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 695
Jednotková cena : 85,61000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 388
Jednotková cena : 74,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 226
Jednotková cena : 72,28000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 282
Jednotková cena : 112,27000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 291
Jednotková cena : 112,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 462
Jednotková cena : 87,69000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 247
Jednotková cena : 78,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 291
Jednotková cena : 66,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 100,82000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 487
Jednotková cena : 109,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 925
Jednotková cena : 89,78000 Kč
Katalogový list
TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF16N60NT

Číslo produktu DigiKey
FCPF16N60NTFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF16N60NT
Popis
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 16A (Tc) 35,7W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF16N60NT Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
199mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2170 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
35,7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.