FCPF16N60NT je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 995
Jednotková cena : 117,17000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 453
Jednotková cena : 93,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 845
Jednotková cena : 101,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 1 110
Jednotková cena : 119,06000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 388
Jednotková cena : 78,11000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 065
Jednotková cena : 80,21000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 273
Jednotková cena : 132,71000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 291
Jednotková cena : 120,32000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 243
Jednotková cena : 100,16000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 206
Jednotková cena : 86,30000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 181
Jednotková cena : 74,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 933
Jednotková cena : 111,08000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 108,56000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 33,98127 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 16A (Tc) 35,7W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCPF16N60NT

Číslo produktu DigiKey
FCPF16N60NTFS-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCPF16N60NT
Popis
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 16A (Tc) 35,7W (Tc) Průchozí otvor TO-220F-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCPF16N60NT Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
199mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2170 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
35,7W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220F-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.