FCP16N60N je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 760
Jednotková cena : 4,35000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 642
Jednotková cena : 4,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 3 074
Jednotková cena : 5,67000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 298
Jednotková cena : 6,01000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 26
Jednotková cena : 5,87000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 254
Jednotková cena : 6,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,93000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 873
Jednotková cena : 4,95000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 882
Jednotková cena : 3,98000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 600
Jednotková cena : 3,47000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 379
Jednotková cena : 4,28000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 260
Jednotková cena : 7,56000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 112
Jednotková cena : 6,81000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 16A (Tc) 134,4W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FCP16N60N

Číslo produktu DigiKey
FCP16N60N-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FCP16N60N
Popis
MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 16A (Tc) 134,4W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FCP16N60N Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
199mOhm při 8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2170 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
134,4W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.