Name: BVSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BVSS123LT1GOSTR-ND
Price: 11.1804 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BVSS123LT1G
Číslo produktu DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) BVSS123LT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	BVSS123LT1G
Popis	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	46 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	BVSS123LT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs (max) ±20V
Mfr onsemi	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 20 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 225mW (Ta)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 170mA (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3 (TO-236)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 6Ohm při 100A, 10V	Základní číslo produktu BVSS123
Vgs(th) (max) při Id 2,8V při 1mA