Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 85.0751 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

PSMN1R7-40YLDX
Číslo produktu DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	PSMN1R7-40YLDX
Popis	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 200A (Tc) 194W (Tc) Montáž na povrch LFPAK56, Napájení-SO8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Řada	TrenchMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	200A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,05V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	109 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7966 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	Schottkyho dioda (těleso)
Rozptylový výkon (Max)	194W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	LFPAK56, Napájení-SO8
Pouzdro	SC-100, SOT-669
Základní číslo produktu	PSMN1R7