Name: GAN3R2-100CBEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND
Price: 126.5297 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN3R2-100CBEAZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN3R2-100CBEAZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN3R2-100CBEAZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN3R2-100CBEAZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN3R2-100CBEAZ
Popis	100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Standardní dodací lhůta výrobce	4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 60A 394W Montáž na povrch 8-WLCSP (3,5x2,13)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	GAN3R2-100CBEAZ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 9mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1000 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 394W
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -40°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A	Dodávaná velikost pouzdra 8-WLCSP (3,5x2,13)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 5V	Pouzdro 8-XFBGA, WLCSP
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,2mOhm při 25A, 5V	Základní číslo produktu GAN3R2