Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650FBEZTR-ND
Price: 145.079 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GAN190-650FBEZ
Číslo produktu DigiKey	1727-GAN190-650FBEZTR-ND - Páska a cívka (TR) 1727-GAN190-650FBEZCT-ND - Řezaná páska (CT) 1727-GAN190-650FBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	GAN190-650FBEZ
Popis	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Standardní dodací lhůta výrobce	4 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 11,5A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok DFN5060-5
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 12,2mA
Mfr Nexperia USA Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 2.8 nC @ 6 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -1,4V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 96 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 125W (Tc)
Technologie GaNFET (Galium nitrid)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V	Způsob montáže Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 11,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DFN5060-5
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V	Pouzdro 8-PowerVDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 190mOhm při 3,9A, 6V	Základní číslo produktu GAN190