BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

BUK6D120-60PX není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Similar

Rohm Semiconductor

Skladem : 900

Jednotková cena : 1,38000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BUK6D120-60PX
Číslo produktu DigiKey	1727-8337-2-ND - Páska a cívka (TR) 1727-8337-1-ND - Řezaná páska (CT) 1727-8337-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	BUK6D120-60PX
Popis	MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 3A (Ta), 8A (Tc) 2,3W (Ta), 15W (Tc) Montáž na povrch DFN2020MD-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18 nC @ 10 V
Mfr Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 724 pF @ 30 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 15W (Tc)
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3A (Ta), 8A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra DFN2020MD-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 6-UDFN podložka pro odvod tepla
Rds zap (max) při Id, Vgs 120mOhm při 3A, 10V	Základní číslo produktu BUK6D120
Vgs(th) (max) při Id 3,2V při 250µA