BUK6D120-60PZ Nexperia USA Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

BUK6D120-60PZ není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Nexperia USA Inc.

Skladem : 0

Jednotková cena : 0,00000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BUK6D120-60PZ
Číslo produktu DigiKey	1727-BUK6D120-60PZTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	BUK6D120-60PZ
Popis	BUK6D120-60P/SOT1220/SOT1220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 3A (Ta), 8A (Tc) 2,3W (Ta), 15W (Tc) Montáž na povrch DFN2020MD-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 18 nC @ 10 V
Mfr Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 724 pF @ 30 V
Stav součásti Ukončeno ve společnosti DigiKey	Rozptylový výkon (Max) 2,3W (Ta), 15W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3A (Ta), 8A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra DFN2020MD-6
Rds zap (max) při Id, Vgs 120mOhm při 3A, 10V	Pouzdro 6-UDFN podložka pro odvod tepla
Vgs(th) (max) při Id 3,2V při 250µA