
IXTP8N65X2M | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | IXTP8N65X2M-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTP8N65X2M |
Popis | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 41 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Průchozí otvor TO-220 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 550mOhm při 4A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 800 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 32W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-220 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 66,86000 Kč | 66,86 Kč |
50 | 42,99720 Kč | 2 149,86 Kč |
100 | 40,82680 Kč | 4 082,68 Kč |
500 | 29,57486 Kč | 14 787,43 Kč |
1 000 | 29,37072 Kč | 29 370,72 Kč |
2 000 | 28,68812 Kč | 57 376,24 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 66,86000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 80,90060 Kč |