
SPP07N60C3XKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SPP07N60C3XKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SPP07N60C3XKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 7,3A (Tc) 83W (Tc) Průchozí otvor PG-TO220-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SPP07N60C3XKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 3,9V při 350µA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 27 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 790 pF @ 25 V |
Stav součásti Datum posledního nákupu | Rozptylový výkon (Max) 83W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO220-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 600mOhm při 4,6A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R600P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPA60R600P7XKSA1-ND | 48,30000 Kč | MFR Recommended |
| FCP11N60F | onsemi | 2 037 | FCP11N60FFS-ND | 92,60000 Kč | Similar |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1 718 | IRF830APBF-ND | 82,73000 Kč | Similar |
| IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | 307 | IRFB11N50APBF-ND | 83,36000 Kč | Similar |
| IRFB9N60APBF | Vishay Siliconix | 4 630 | IRFB9N60APBF-ND | 80,63000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 76,43000 Kč | 76,43 Kč |
| 50 | 38,06940 Kč | 1 903,47 Kč |
| 100 | 34,34430 Kč | 3 434,43 Kč |
| 500 | 27,81606 Kč | 13 908,03 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 76,43000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 92,48030 Kč |








