IXTN660N04T4 IXYS | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTN660N04T4
Číslo produktu DigiKey	IXTN660N04T4-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTN660N04T4
Popis	MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	Trench
Balení	Trubice
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	660A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,85mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	860 nC @ 10 V
Vgs (max)	±15V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	44000 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1040W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-227B
Pouzdro	SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo produktu	IXTN660