IXTH52N65X je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


IXYS
Skladem : 450
Jednotková cena : 249,67000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 816
Jednotková cena : 296,07000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 165,46000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 509
Jednotková cena : 234,76000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 913
Jednotková cena : 277,80000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 443
Jednotková cena : 254,92000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTH52N65X

Číslo produktu DigiKey
IXTH52N65X-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTH52N65X
Popis
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 52A (Tc) 660W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IXTH52N65X Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
68mOhm při 26A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
660W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247 (IXTH)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.