IXTH12N100 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Microchip Technology
Skladem : 66
Jednotková cena : 12,58000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 28
Jednotková cena : 5,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 499
Jednotková cena : 9,15000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 749
Jednotková cena : 2,42000 Kč
Katalogový list
N-kanál 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTH12N100

Číslo produktu DigiKey
IXTH12N100-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTH12N100
Popis
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,05Ohm při 6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4000 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247 (IXTH)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné