IXTH10N100D je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 7 173,11600 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 1 363,59664 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 28
Jednotková cena : 2 364,29000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 310
Jednotková cena : 2 278,20000 Kč
Katalogový list
N-kanál, režim vybíjení 1000 V 10A (Tc) 400W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTH10N100D

Číslo produktu DigiKey
238-IXTH10N100D-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTH10N100D
Popis
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 1000 V 10A (Tc) 400W (Tc) Průchozí otvor TO-247 (IXTH)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2500 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
400W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247 (IXTH)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.