IXTA110N055T2 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 58,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 308
Jednotková cena : 93,67000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 551
Jednotková cena : 62,73000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 617
Jednotková cena : 99,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 30,93693 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 627
Jednotková cena : 79,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 160
Jednotková cena : 50,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 801
Jednotková cena : 78,73000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 625
Jednotková cena : 72,83000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 32,68918 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 449
Jednotková cena : 67,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list
N-kanál 55 V 110A (Tc) 180W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTA110N055T2

Číslo produktu DigiKey
IXTA110N055T2-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTA110N055T2
Popis
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce
23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 110A (Tc) 180W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
6,6mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3060 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
180W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Skladové zásoby výrobce: 900
Zkontrolovat dodací lhůtu
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
183,57000 Kč83,57 Kč
5042,50420 Kč2 125,21 Kč
10038,53200 Kč3 853,20 Kč
50031,56742 Kč15 783,71 Kč
1 00029,33107 Kč29 331,07 Kč
2 00028,20700 Kč56 414,00 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:83,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:101,11970 Kč