
IXTA08N100D2 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 238-IXTA08N100D2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IXTA08N100D2 |
Popis | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 32 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál, režim vybíjení 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Montáž na povrch TO-263AA |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1000 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | - | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 21Ohm při 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max) při Id | - | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 325 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 60W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263AA | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 83,57000 Kč | 83,57 Kč |
| 50 | 42,50420 Kč | 2 125,21 Kč |
| 100 | 38,53200 Kč | 3 853,20 Kč |
| 500 | 31,56742 Kč | 15 783,71 Kč |
| 1 000 | 29,33107 Kč | 29 331,07 Kč |
| 2 000 | 28,20700 Kč | 56 414,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 83,57000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 101,11970 Kč |



