IXKC20N60C je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 243
Jednotková cena : 4,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 206
Jednotková cena : 3,49000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 181
Jednotková cena : 3,02000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 933
Jednotková cena : 4,50000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,39000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 15A (Tc) Průchozí otvor ISOPLUS220™
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXKC20N60C

Číslo produktu DigiKey
238-IXKC20N60C-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXKC20N60C
Popis
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 15A (Tc) Průchozí otvor ISOPLUS220™
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
190mOhm při 16A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,9V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
-
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
ISOPLUS220™
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné