N-kanál 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFN66N85X

Číslo produktu DigiKey
238-IXFN66N85X-ND
Výrobce
IXYS
Číslo produktu výrobce
IXFN66N85X
Popis
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Standardní dodací lhůta výrobce
27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
IXYS
Řada
HiPerFET™, Ultra X
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
850 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
65A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
65mOhm při 33A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5,5V při 8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
8900 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
830W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra
SOT-227B
Pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo produktu
IXFN66
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 957
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1925,59000 Kč925,59 Kč
10694,61400 Kč6 946,14 Kč
100640,91150 Kč64 091,15 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:925,59000 Kč
Jednotková cena s DPH:1 119,96390 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
IXDN614YI

IXDN614YI

IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

IXYS Integrated Circuits Division

113,39000 Kč