IXFN30N110P je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 966,30350 Kč
Katalogový list

Similar


Microchip Technology
Skladem : 0
Jednotková cena : 1 058,78900 Kč
Katalogový list
238~SOT227B~~4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFN30N110P

Číslo produktu DigiKey
IXFN30N110P-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXFN30N110P
Popis
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1100 V 25A (Tc) 695W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
360mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
6,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
13600 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
695W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra
SOT-227B
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné