Name: IXFN200N10P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFN200N10P-ND
Price: 728.662 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXFN200N10P
Číslo produktu DigiKey	238-IXFN200N10P-ND
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXFN200N10P
Popis	MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 200A (Tc) 680W (Tc) Montáž na šasi SOT-227B
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	IXYS
Řada	HiPerFET™, Polar
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	200A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,5mOhm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7600 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	680W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na šasi
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-227B
Pouzdro	SOT-227-4, miniBLOC
Základní číslo produktu	IXFN200

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 1 059

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	602,20000 Kč	602,20 Kč
10	440,82500 Kč	4 408,25 Kč
100	375,65860 Kč	37 565,86 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.