Name: IPB014N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB014N06NATMA1TR-ND
Price: 115.0952 CZK
Availability: InStock

IPB014N06NATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB014N06NATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB014N06NATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB014N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB014N06NATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 34A (Ta), 180A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-7
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB014N06NATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	34A (Ta), 180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,4mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,8V při 143µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	7800 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-7
Pouzdro	TO-263-7, D2PAK (6 přívodů + výstupek)
Základní číslo produktu	IPB014

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	34,13414 Kč	34 134,14 Kč
2 000	33,61255 Kč	67 225,10 Kč

Jednotková cena bez DPH:	95,12000 Kč
Jednotková cena s DPH:	115,09520 Kč

IPB014N06NATMA1