PG-TO252-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO252-3
PG-TO-252-3

SPD08P06PGBTMA1

Číslo produktu DigiKey
SPD08P06PGBTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
SPD08P06PGBTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
SPD08P06PGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
SPD08P06PGBTMA1
Popis
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 60 V 8,83A (Ta) 42W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SPD08P06PGBTMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
SIPMOS®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
8,83A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6,2V
Rds zap (max) při Id, Vgs
300mOhm při 10A, 6,2V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
420 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
42W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
SPD08P06
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 695
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
124,63000 Kč24,63 Kč
1015,38800 Kč153,88 Kč
10010,11450 Kč1 011,45 Kč
5007,84492 Kč3 922,46 Kč
1 0007,11427 Kč7 114,27 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 5006,32300 Kč15 807,50 Kč
5 0005,83384 Kč29 169,20 Kč
7 5005,58462 Kč41 884,65 Kč
12 5005,30465 Kč66 308,12 Kč
17 5005,23356 Kč91 587,30 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:24,63000 Kč
Jednotková cena s DPH:29,80230 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

14,52000 Kč
IRS2005STRPBF

IRS2005STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

17,68000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
SPD09P06PLGBTMA1

SPD09P06PLGBTMA1

MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3

Infineon Technologies

26,94000 Kč
FQD11P06TM

FQD11P06TM

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

onsemi

35,15000 Kč
S3A

S3A

DIODE STANDARD 50V 3A DO214AB

onsemi

10,53000 Kč
IPD85P04P4L06ATMA2

IPD85P04P4L06ATMA2

MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3

Infineon Technologies

45,89000 Kč
SPD15P10PGBTMA1

SPD15P10PGBTMA1

MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

Infineon Technologies

45,89000 Kč
SPD04P10PLGBTMA1

SPD04P10PLGBTMA1

MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3

Infineon Technologies

26,52000 Kč
DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13

MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Diodes Incorporated

20,84000 Kč