Name: SPD08N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD08N50C3ATMA1TR-ND
Price: 63.6823 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPD08N50C3ATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPD08N50C3ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPD08N50C3ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPD08N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPD08N50C3ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 500 V 7,6A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPD08N50C3ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	600mOhm při 4,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 350µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	750 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SPD08N50