SPD03N50C3ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 1 899
Jednotková cena : 43,68000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 488
Jednotková cena : 32,76000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 19,01293 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 269
Jednotková cena : 48,30000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 3 859
Jednotková cena : 45,15000 Kč
Katalogový list
N-kanál 500 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPD03N50C3ATMA1

Číslo produktu DigiKey
SPD03N50C3ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
SPD03N50C3ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
SPD03N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SPD03N50C3ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 3,2A (Tc) 38W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SPD03N50C3ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,9V při 135µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
350 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
38W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO252-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.