Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 141.3159 CZK
Availability: OutOfStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPB80P06PGATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPB80P06PGATMA1
Popis	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPB80P06PGATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 173 nC @ 10 V
Mfr Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Řada SIPMOS®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5033 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 340W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 80A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TO263-3-2
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 23mOhm při 64A, 10V	Základní číslo produktu SPB80P06
Vgs(th) (max) při Id 4V při 5,5mA