Name: IQE022N06LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 113.8247 CZK
Availability: InStock

N-kanál 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE022N06LM5CGSCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE022N06LM5CGSCATMA1
Popis	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montáž na povrch PG-WHTFN-9
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE022N06LM5CGSCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 48µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 53 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4420 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHTFN-9
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 24A (Ta), 151A (Tc)	Pouzdro 9-PowerWDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IQE022
Rds zap (max) při Id, Vgs 2,2mOhm při 20A, 10V