SPB80N06S08ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 518
Jednotková cena : 53,26000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 364
Jednotková cena : 59,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 263
Jednotková cena : 45,05000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 921
Jednotková cena : 58,73000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 275
Jednotková cena : 50,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 674
Jednotková cena : 54,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 400
Jednotková cena : 83,99000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 9 351
Jednotková cena : 43,99000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 1 625
Jednotková cena : 72,83000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 1 550
Jednotková cena : 82,31000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 449
Jednotková cena : 67,36000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 2 085
Jednotková cena : 161,03000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 11 662
Jednotková cena : 42,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 160
Jednotková cena : 50,52000 Kč
Katalogový list
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPB80N06S08ATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-SPB80N06S08ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SPB80N06S08ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,7mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 240µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3660 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.