SPB80N06S08ATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 670
Jednotková cena : 53,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 299
Jednotková cena : 61,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3
Jednotková cena : 46,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 228
Jednotková cena : 58,58000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 809
Jednotková cena : 50,40000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 011
Jednotková cena : 54,38000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 1 184
Jednotková cena : 83,78000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 7 502
Jednotková cena : 43,89000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 1 496
Jednotková cena : 71,18000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 1 550
Jednotková cena : 72,65000 Kč
Katalogový list

Direct


STMicroelectronics
Skladem : 449
Jednotková cena : 67,19000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 884
Jednotková cena : 160,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 6 018
Jednotková cena : 42,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 152
Jednotková cena : 50,40000 Kč
Katalogový list
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SPB80N06S08ATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-SPB80N06S08ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SPB80N06S08ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
7,7mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 240µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3660 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3-2
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.