Name: SPB20N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB20N60C3ATMA1TR-ND
Price: 105.9839 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SPB20N60C3ATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPB20N60C3ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPB20N60C3ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPB20N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPB20N60C3ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 20,7A (Tc) 208W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPB20N60C3ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C3
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	20,7A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	190mOhm při 13,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	114 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2400 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	208W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	SPB20N60

Jednotková cena bez DPH:	87,59000 Kč
Jednotková cena s DPH:	105,98390 Kč

SPB20N60C3ATMA1