SN7002NH6327XTSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 108 620
Jednotková cena : 6,09000 Kč
Katalogový list

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 146 349
Jednotková cena : 5,88000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 156 412
Jednotková cena : 13,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 91 391
Jednotková cena : 4,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,62000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 245 066
Jednotková cena : 6,93000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 4,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 563 718
Jednotková cena : 6,51000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 24,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 5 119
Jednotková cena : 6,09000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,46000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 173 519
Jednotková cena : 6,93000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 112 199
Jednotková cena : 6,72000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 170 000
Jednotková cena : 1,04990 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SN7002NH6327XTSA1

Číslo produktu DigiKey
SN7002NH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SN7002NH6327XTSA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
5Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 26µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
45 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
360mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT23
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.