SN7002NH6327XTSA1 není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Direct


Infineon Technologies
Skladem : 185
Jednotková cena : 4,99000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 622
Jednotková cena : 5,41000 Kč
Katalogový list

Parametrický ekvivalent


Infineon Technologies
Skladem : 3 792
Jednotková cena : 4,79000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 154 413
Jednotková cena : 9,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 453 814
Jednotková cena : 2,91000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 288
Jednotková cena : 3,95000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 65 779
Jednotková cena : 6,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 311 800
Jednotková cena : 3,54000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 239 614
Jednotková cena : 6,24000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 275 475
Jednotková cena : 4,79000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 31
Jednotková cena : 9,15000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 16 950
Jednotková cena : 18,10000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 6 556
Jednotková cena : 5,83000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 6,45000 Kč
Katalogový list
PG-SOT23
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SN7002NH6327XTSA1

Číslo produktu DigiKey
SN7002NH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SN7002NH6327XTSA1
Popis
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
5Ohm při 500mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 26µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
45 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
360mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT23
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady.