Name: ISZ56DP15LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ56DP15LMATMA1TR-ND
Price: 44.4675 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISZ56DP15LMATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISZ56DP15LMATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISZ56DP15LMATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISZ56DP15LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISZ56DP15LMATMA1
Popis	TRENCH >=100V
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 150 V 1,35A (Ta), 6,7A (Tc) 2,5W (Ta), 62,5W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8 FL
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISZ56DP15LMATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 724µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 40 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1400 pF @ 75 V
Typ tranzistoru FET P-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 62,5W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,35A (Ta), 6,7A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSDSON-8 FL
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerTDFN
Rds zap (max) při Id, Vgs 560mOhm při 5A, 10V	Základní číslo produktu ISZ56DP15

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 3 824

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®