Name: ISC030N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC030N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 130.0508 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC030N12NM6ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISC030N12NM6ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISC030N12NM6ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISC030N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISC030N12NM6ATMA1
Popis	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardní dodací lhůta výrobce	52 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 120 V 21A (Ta), 194A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-3
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 6
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	120 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21A (Ta), 194A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3,04mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,6V při 141µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5500 pF @ 60 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 250W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSON-8-3
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	ISC030N