IRLR8259TRPBF Infineon Technologies | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

IRLR8259TRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

onsemi

Skladem : 1 842

Jednotková cena : 26,88000 Kč

Similar

STMicroelectronics

Skladem : 0

Jednotková cena : 13,97602 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLR8259TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRLR8259TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRLR8259TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRLR8259TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRLR8259TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 57A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRLR8259TRPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,35V při 25µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 10 nC @ 4.5 V
Řada HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 900 pF @ 13 V
Stav součásti Zastaralé	Rozptylový výkon (Max) 48W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 25 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-252AA (DPAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 57A (Tc)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IRLR8259
Rds zap (max) při Id, Vgs 8,7mOhm při 21A, 10V