IRFS4410TRLPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 11 253
Jednotková cena : 2,43000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 6 564
Jednotková cena : 3,20000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,91019 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 24
Jednotková cena : 3,55000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 10 155
Jednotková cena : 3,04000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,10963 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 983
Jednotková cena : 5,45000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 353
Jednotková cena : 4,84000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 2,04220 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,97637 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 208
Jednotková cena : 2,33000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5 321
Jednotková cena : 2,65000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 265
Jednotková cena : 6,48000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 926
Jednotková cena : 4,11000 Kč
Katalogový list
N-kanál 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IRFS4410TRLPBF

Číslo produktu DigiKey
IRFS4410TRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR)
IRFS4410TRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFS4410TRLPBF
Popis
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 88A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
10mOhm při 58A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5150 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.