IRFH7110TRPBF Infineon Technologies | Diskrétní polovodičové produkty

IRFH7110TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFH7110TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFH7110TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 11A (Ta), 58A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	11A (Ta), 58A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13,5mOhm při 35A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3240 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,6W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-PQFN (5x6)
Pouzdro	8-TQFN podložka pro odvod tepla