
IRFH5110TRPBF | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IRFH5110TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IRFH5110TRPBF |
Popis | MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3,6W (Ta), 114W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6) |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IRFH5110TRPBF Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) | |
Stav součásti | Zastaralé | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 100 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 12,4mOhm při 37A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 100µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3152 pF @ 25 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 3,6W (Ta), 114W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-PQFN (5x6) | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |












