IRFH5110TRPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 27 307
Jednotková cena : 43,74000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 11 484
Jednotková cena : 41,45000 Kč
Katalogový list

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 7,85270 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 13 371
Jednotková cena : 14,16000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 402
Jednotková cena : 24,16000 Kč
Katalogový list
8PQFN
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFH5110TRPBF

Číslo produktu DigiKey
448-IRFH5110TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFH5110TRPBF
Popis
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 11A (Ta), 63A (Tc) 3,6W (Ta), 114W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFH5110TRPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12,4mOhm při 37A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3152 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
3,6W (Ta), 114W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-PQFN (5x6)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.