Name: IRFB38N20DPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB38N20DPBF-ND
Price: 86.1278 CZK
Availability: InStock

IRFB38N20DPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFB38N20DPBF-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFB38N20DPBF
Popis	MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce	35 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 43A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	43A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	54mOhm při 26A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2900 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220AB
Pouzdro	TO-220-3
Základní číslo produktu	IRFB38

Jednotková cena bez DPH:	71,18000 Kč
Jednotková cena s DPH:	86,12780 Kč

IRFB38N20DPBF