Name: IRF8010STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8010STRLPBFTR-ND
Price: 83.2843 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IRF8010STRLPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF8010STRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF8010STRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF8010STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF8010STRLPBF
Popis	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF8010STRLPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	15mOhm při 45A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3830 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	260W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IRF8010

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
800	23,20579 Kč	18 564,63 Kč
1 600	21,64729 Kč	34 635,66 Kč

Jednotková cena bez DPH:	68,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	83,28430 Kč

IRF8010STRLPBF