Name: IRF5210STRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210STRLPBFTR-ND
Price: 107.7263 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF5210STRLPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF5210STRLPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF5210STRLPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF5210STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF5210STRLPBF
Popis	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	36 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 38A (Tc) 3,1W (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF5210STRLPBF Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 230 nC @ 10 V
Řada HEXFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2780 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,1W (Ta), 170W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra D2PAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 38A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IRF5210
Rds zap (max) při Id, Vgs 60mOhm při 38A, 10V