IRF7311PBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar

DMG9926USD-13
Diodes Incorporated
Skladem : 89 315
Jednotková cena : 15,58000 Kč
Katalogový list

Similar

DMN2041LSD-13
Diodes Incorporated
Skladem : 6 568
Jednotková cena : 16,63000 Kč
Katalogový list

Similar

NTMD4N03R2G
onsemi
Skladem : 22 401
Jednotková cena : 24,63000 Kč
Katalogový list

Similar

ZXMN2A04DN8TA
Diodes Incorporated
Skladem : 506
Jednotková cena : 57,89000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF7311PBF

Číslo produktu DigiKey
IRF7311PBF-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IRF7311PBF
Popis
MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 20V 6,6A 2W Montáž na povrch 8-SO
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
Infineon Technologies
Řada
HEXFET®
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace
2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET
Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
6,6A
Rds zap (max) při Id, Vgs
29mOhm při 6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
700mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
27nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
900pF při 15V
Výkon - max
2W
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Pouzdro
8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra
8-SO
Základní číslo produktu
IRF731
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.