Name: NTMD4N03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD4N03R2GOSTR-ND
Price: 29.8023 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMD4N03R2G
Číslo produktu DigiKey	NTMD4N03R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMD4N03R2G
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 4A 2W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMD4N03R2G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A
Rds zap (max) při Id, Vgs	60mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	16nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	400pF při 20V
Výkon - max	2W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	NTMD4