Name: NTMD4N03R2G
Brand: onsemi
SKU: NTMD4N03R2GOSTR-ND
Price: 31.7625 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTMD4N03R2G
Číslo produktu DigiKey	NTMD4N03R2GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTMD4N03R2GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTMD4N03R2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTMD4N03R2G
Popis	MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 4A 2W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTMD4N03R2G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 400pF při 20V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 2W
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A	Základní číslo produktu NTMD4
Rds zap (max) při Id, Vgs 60mOhm při 4A, 10V