Name: IRF6775MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6775MTRPBFTR-ND
Price: 61.7463 CZK
Availability: OutOfStock

IRF6775MTRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRF6775MTRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRF6775MTRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRF6775MTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF6775MTRPBF
Popis	MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 4,9A (Ta), 28A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch DIRECTFET™ MZ
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF6775MTRPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,9A (Ta), 28A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	56mOhm při 5,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1411 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DIRECTFET™ MZ
Pouzdro	DirectFET™ izometrický MZ
Základní číslo produktu	IRF6775

Jednotková cena bez DPH:	51,03000 Kč
Jednotková cena s DPH:	61,74630 Kč

IRF6775MTRPBF