IRF3205SPBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 5 317
Jednotková cena : 46,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,43000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 4 599
Jednotková cena : 82,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 331
Jednotková cena : 62,57000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 1 884
Jednotková cena : 160,63000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 6 006
Jednotková cena : 42,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 152
Jednotková cena : 50,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 496
Jednotková cena : 71,18000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 714
Jednotková cena : 100,79000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 397
Jednotková cena : 76,22000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 368
Jednotková cena : 63,41000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 681
Jednotková cena : 68,03000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 449
Jednotková cena : 67,19000 Kč
Katalogový list
N-kanál 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF3205SPBF

Číslo produktu DigiKey
IRF3205SPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF3205SPBF
Popis
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRF3205SPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
55 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8mOhm při 62A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
3247 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
200W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.