IRF1010EZSPBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 471
Jednotková cena : 28,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 363
Jednotková cena : 68,53000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 35,68179 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 800
Jednotková cena : 69,57000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 24 985
Jednotková cena : 71,86000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 11 732
Jednotková cena : 53,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 160
Jednotková cena : 62,49000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 625
Jednotková cena : 35,62000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 051
Jednotková cena : 43,95000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 529
Jednotková cena : 23,12000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 464
Jednotková cena : 66,66000 Kč
Katalogový list
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF1010EZSPBF

Číslo produktu DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF1010EZSPBF
Popis
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8,5mOhm při 51A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2810 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
140W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.