IRF1010EZSPBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 5 332
Jednotková cena : 46,41000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 42,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 1 871
Jednotková cena : 55,43000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 31,10591 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5 303
Jednotková cena : 55,01000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 10 165
Jednotková cena : 74,12000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 23,47576 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 6 018
Jednotková cena : 42,84000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 152
Jednotková cena : 50,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 496
Jednotková cena : 71,18000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 714
Jednotková cena : 94,70000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 4 352
Jednotková cena : 48,30000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 449
Jednotková cena : 67,19000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF1010EZSPBF

Číslo produktu DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF1010EZSPBF
Popis
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti DigiKey
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8,5mOhm při 51A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2810 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
140W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.