IRF1010EZSPBF není skladem a zpětné objednávky nejsou aktuálně k dispozici.
Dostupné náhrady:

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 2 946
Jednotková cena : 42,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 0
Jednotková cena : 38,52000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 2 123
Jednotková cena : 55,57000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 30,04888 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5 513
Jednotková cena : 53,89000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 24 075
Jednotková cena : 74,31000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 11 662
Jednotková cena : 42,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 160
Jednotková cena : 50,52000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 625
Jednotková cena : 72,83000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 032
Jednotková cena : 94,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 366
Jednotková cena : 53,89000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 449
Jednotková cena : 67,36000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRF1010EZSPBF

Číslo produktu DigiKey
IRF1010EZSPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRF1010EZSPBF
Popis
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Ukončeno ve společnosti Digi-Key
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
8,5mOhm při 51A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2810 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
140W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
D2PAK
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Vzhledem k dočasně omezenému zásobování nemůžeme přijímat zpětné objednávky a dodací lhůta není aktuálně k dispozici. Zobrazit Náhrady nebo Alternativní typy balení.