Name: IRF100P218AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100P218AKMA1-ND
Price: 211.387 CZK
Availability: InStock

IRF100P218AKMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IRF100P218AKMA1-ND
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRF100P218AKMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 209A (Tc) 3,8W (Ta), 556W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRF100P218AKMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	StrongIRFET™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	209A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,28mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 278µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	412 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	24000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 556W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-3
Pouzdro	TO-247-3

Jednotková cena bez DPH:	174,70000 Kč
Jednotková cena s DPH:	211,38700 Kč

IRF100P218AKMA1