Name: IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S5L4R8ATMA1TR-ND
Price: 34.5576 CZK
Availability: InStock

IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPZ40N04S5L4R8ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPZ40N04S5L4R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 40A (Tc) 48W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	40A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,8mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 17µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1560 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	48W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	IPZ40N04

Jednotková cena bez DPH:	28,56000 Kč
Jednotková cena s DPH:	34,55760 Kč

IPZ40N04S5L4R8ATMA1